Кт825г характеристики регулятор напряжения

Транзистор кт825

КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы p-n-p, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ825

Особенности

КТ825 характеристики:

Предельные параметры КТ825

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ825Г, Д, Е — 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ825Г, Д, Е — 30 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ825Г — 70 В
• КТ825Д — 45 В
• КТ825Е — 25 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ825Г, Д, Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ825Г, Д, Е — 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ825Г, Д, Е — 150° C

Значения параметров КТ825 при Т_{перехода}=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 10 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 10 А:

• КТ825Г, Д, Е — 750

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ825Г, Д, Е — 2 В

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ825Г, Д, Е — 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Время включения биполярного транзистора (t_вкл)

• КТ825Г, Д, Е — 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

• КТ825Г, Д, Е — 4,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ825Г, Д, Е — 1° С/Вт

Источник

Характеристики транзистора КТ825Г

Характеристики транзистора КТ825Г позволяют использовать его в схемах переключения и различных усилителях. Его структура p-n-p. Изготавливается как и все устройство данной серии по мезапланарной технологии с структурой p-n-p. Отличается большим коэффициентом усиления тока, так как изготавливается по схеме Дарлингтона, то есть являются составными.

Распиновка

Цоколевку КТ825Г приведём в корпусе ТО-3 в котором он и изготавливается. Она имеет жёсткие выводы и стеклянные изоляторы. Его масса не должна быть больше 20 г. Габариты и схема приведены на рисунке расположенном ниже.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики КТ825Г это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём эти характеристики:

• рабочая температура окружающей среды от -40 до +100 О С;
• наибольший возможный импульсный (протекающий в течении короткого промежутка времени) ток через коллектор – 40 А;
• максимально возможное постоянное (действующее на протяжении длительного времени) напряжение между базой и эмиттером – 5 В;
• максимальный постоянный ток протекающий через базу – 0,5 А;
• максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при температуре окружающей среды +25 О С:
  • с теплоотводом – 125 Вт;
  • без теплоотвода – 3 Вт;
• допустимая температура n-p перехода (кристалла) — +175 О С;
• предельно допустимые постоянный (длительный) ток через коллектор – 20 А;
• постоянное напряжение между коллектором и эмиттером ( при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ = 1000 Ом или U_ЭБ = 1,5 В) не должно быть больше – 90 В.

Помимо выше указанных параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25 О С. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

В

В

В

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Коэффициент передачи тока для изделий, включённых по схеме с ОЭ	UКБ = 10 В, IЭ= 10 A UКБ = 10 В, IЭ= 20 A	h21Э	750
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала	UКБ = 3 В, IЭ= 10 A f = 5кГц	h21э	430	60000
Граничная частота коэффициента передачи тока для транзистора, включённого по схеме с ОЭ	UКБ = 3 В, IЭ= 10 A	fгр	4	МГц
Граничное напряжение	IЭ= 100 мA	70	В
Напряжение насыщения перехода К-Э	IК = 10 A, IБ = 40 мA IК = 20 A, IБ = 200 мA	UКЭ нас
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IК = 10 A, IБ = 40 A IК = 20 A, IБ = 200 A	UБЭ нас
Пробивное напряжение перехода К-Э	UЭБ = 1,5 В, Т = Тмакс , IК= 2 мA	UКЭО проб.
Пробивное напряжение перехода Э-Б	IЭБ о= 2 мA	UКЭО проб	5	В
Время включения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвкл	1	мкс
Время выключения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвыкл	3	4,5	мкс
Ёмкость коллекторного перехода	UКБ = 10 В	cк	350	600	пФ
Ёмкость эмиттерного перехода	UЭБ = 5 В	cк	450	350	пФ

Содержание драгметаллов в транзисторе КТ825Г:

Данные взяты из справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий» г. Красноярск: ИПК «Платина», 1999 г

Аналоги

При необходимости транзистор КТ825Г можно заменить такими зарубежными аналогами:

В любом случае до того как принять решение нужно изучить схему, в которой работает транзистор и его режим работы и только после этого его можно менять.

Так как КТ825Г изготовлен по схеме Дарлингтона, можно собрать схему, которая бы его заменила. Данная конструкция проста и в ней не используются дефицитные детали. Для ее сборки потребуются два транзистора и два диода.

Производители

Транзистор КТ825Г выпускает всего одно предприятие. Это АО «Кремний» г. Брянск. Соответственно в магазинах можно приобрести продукцию только этого завода.

Источник

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H_21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

• предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
• постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
• коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
• рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
• температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при Т_К от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице. Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H_21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (Т_К ≈ макс.).

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Источник

Транзистор КТ825Г

Технические характеристики составного транзистора КТ825Г до сих пор позволяют использовать его в современных приложениях. Разработанный в середине 80-х, он изначально был предназначен для применения в мощных блоках питания, переключающих и усилительных схемах, а так же в качестве ключевых регулирующих элементов стабилизаторов напряжения.

Являлся одним из главных элементов выходных каскадов первых образцов советского Hi-Fi-оборудования. Например, очень известной копии британского аудиоусилителя «Quad-405», собранного на отечественной элементной базе в 1984 году Юрием Солнцевым.

Цоколевка

КТ825Г выпускаются в металлическом корпусе КТ-9 (ТО-3), который имеет два жестких вывода базы (Б) и эмиттера (Б) со стеклянными изоляторами. Коллектор (К) электрически соединен с металлической оболочкой. Масса устройства не превышает 20 гр. Габариты и цоколевка приведены на рисунке.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

• максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
• коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
• рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
• температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Аналоги

Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884. Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В.

Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.

Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.

Производители

КТ825Г в настоящее время продолжает выпускать только одно российское предприятие. Им является ЗАО «Группа Кремний Эл» г. Брянск. Скачать даташит на изделие можно по следующей ссылке.

Источник