Транзистор 2т825а характеристики в регулятор напряжения

Транзистор 2Т825А

2Т825А

2Т825А
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения .
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
— в металлическом корпусе не более 20,0 г,
— кристалла не более 0,025 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.054ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.054ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N6287.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500. 18000;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Источник

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь — 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзисторов КТ825:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
	при T = 25°C
	IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКБ,В	IЭ, А	UКЭ нас, В	IКБ0, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ825Г	20	30	70	5	125	25	150	100	750	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1
КТ825Д	20	30	45	5	125	25	150	100	750	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1
КТ825Е	20	30	25	5	125	25	150	100	750	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1
2Т825А	20	40	80	5	160	25	175	125	500. 18000	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1,2
2Т825Б	20	40	60	5	160	25	175	125	750. 18000	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1,2
2Т825В	20	40	45	5	160	25	175	125	750. 18000	10	10	2	4	600	600	1	4,5	1,2
2Т825А2	15	40	80	100	5	30	25	150	100	500. 18000	10	10	2	4	250	400	4,17
2Т825Б2	15	40	60	80	5	30	25	150	100	750. 18000	10	10	2	4	250	400	4,17
2Т825В2	15	40	45	60	5	30	25	150	100	750. 18000	10	10	2	4	250	400	4,17

КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:

Источник

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H_21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

• предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
• постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
• коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
• рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
• температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при Т_К от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице. Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H_21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (Т_К ≈ макс.).

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Источник

Транзисторы КТ818 и КТ825

Транзисторы КТ818

Т ранзисторы КТ818 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818АМ, 2Т818БМ, 2Т818ВМ, 2Т818ГМ выполнены в металло-стеклянном корпусе (TO-3).
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — в пластиковом (TO-220).
Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ818Г — не ниже 12.
У транзисторов КТ818А, КТ818В — не ниже 15.
У транзисторов КТ818Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — не ниже 20.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ818А — 25 в.
У транзисторов КТ818Б, КТ818БМ, 2Т818В — 40 в.
У транзисторов КТ818В, КТ818ВМ, 2Т818Б — 60 в.
У транзисторов КТ818Г, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818А2 — 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 15 А.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — 20 А.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 5 А и базовом токе 0,5 А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — не более 1,5 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — не более 3 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 1 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — 2 в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор — база 40 в:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ при температуре от -40 градусов Цельсия до +24 — 1 мА, при +100 — 10 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 60 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 100 Вт на радиаторе.
У транзисторов 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — 40 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 1,5 Вт без радиатора.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — 2 Вт без радиатора.
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 3 Вт без радиатора.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ818

КТ818А — 2N5193.
КТ818Б — 2N6132.
КТ818БМ — 2N6469.
КТ818В — 2N5194.
КТ818ВМ — 2N6246.
КТ818ГM — 2N6247.
2Т818А — BD292.
2Т818Б — BD202.
2Т818В — BD177.

Несложная схема мощного усилителя с КТ818 и КТ819 в выходном каскаде.

Транзисторы VT1,VT2 — КТ3102А, КТ3102Б, КТ315В тоже подойдут.
Транзисторы VT3,VT5 — КТ814А(КТ816А подойдут тоже),VT4 — КТ815А или КТ817А, транзистор VT7 — КТ818, транзистор VT6 — КТ819. Конденсаторы на напряжение 50в. Резисторы R7 — R8 проволочные(нихром), остальные любого типа, мощностью 0,25 Вт. Источник питания двухполярный, желательно стабилизированный расчитанный на работу при макимальных токах не менее 5 А.

Настройка сводится к подбору величины сопротивления резисторов R3 и R6. R3 задает режим работы входного каскада(диф.усилитель), R6 — режим работы выходного каскада на составных транзисторах, ток покоя должен составлять менее 60 mA.
Максимальный уровень выходного сигнала(амплитуда 12 в) без заметных искажений, при активной нагрузке 4 Ома, достигается при напряжении на входе 1в. Т. е. — коэффициент усиления по напряжению всего лишь — 12. Но ток в нагрузке при этом может достигать 3А. Таким образом, можно сказать, что моментальная пиковая мощность достигает 36 вт при активной нагруке 4 Ома. При активной нагрузке 2 Ома амплитуда выходного каскада снижается до 10 в, но ток вырастает до 5А. В итоге, пиковая мощность может достигать 50 вт.

Можно поробовать увеличить мощность, повышая напряжение питания. Это потребует изменения величины сопротивления резисторов R3 и R6 в сторону увеличения номинала. При повышении напряжения питания до 18в при нагрузке 4 Ома, можно получить пиковую мощность свыше 50вт и действующую — около 30.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник