Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6 го класса
Вопрос 1 В режиме лавинного пробоя силового диода Выберите один ответ: обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
Вопрос 2 Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна Выберите один ответ: произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
Вопрос 3 Точечные диоды Выберите один или несколько ответов: используются для выпрямления больших токов имеют большую площадь p-n-перехода имеют малую площадь p-n-перехода используются для выпрямления малых токов
Вопрос 4 При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде Выберите один ответ: резко увеличивается резко уменьшается равна нулю увеличивается постепенно
Вопрос 5 К предельно допустимым параметрам силового диода относится Выберите один ответ: импульсное обратное напряжение динамическое сопротивление напряжение пробоя время нарастания прямого тока
Вопрос 6 Плоскостные диоды Выберите один или несколько ответов: используются для выпрямления больших токов используются для выпрямления малых токов имеют большую площадь p-n-перехода имеют малую площадь p-n-перехода
Вопрос 7 Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит Выберите один ответ: электрическую батарею резистор с динамическим сопротивлением катушку индуктивности идеальный диод
Вопрос 8 Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает Выберите один ответ: время обратного восстановления не более 0,3 мкс падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В низкую инерционность прибора предельное обратное напряжение более 100 В
Вопрос 9 К параметрам силовых диодов не относятся Выберите один ответ: предельно допустимые динамические потенциальные статические
Вопрос 10 Силовой диод содержит Выберите один ответ: три p-n-перехода один p-n-переход один p-n-p-переход два p-n-перехода
Вопрос 11 При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода Выберите один ответ: имеет конечную величину меньше нуля равно нулю стремится к бесконечности
Вопрос 12 Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает: Выберите один ответ: от 1 до 5 мкс от 25 до 100 нс от 1 до 5 нс от 25 до 100 мкс
Вопрос 13 Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если Выберите один ответ: напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде напряжения на аноде и катоде отсутствуют напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде напряжение на аноде равно напряжению на катоде
Вопрос 14 Силовым диодом называется Выберите один ответ: полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
Вопрос 15 Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются Выберите один ответ: высокими значениями обратного напряжения и прямого тока низкими значениями обратного напряжения и прямого тока низкими значениями обратного напряжения и обратного тока высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
Вопрос 16 Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки Выберите один ответ: арсенид-галлий кремний карбидокремний германий
Вопрос 17 Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает: Выберите один ответ: до 200 нс до 100 нс до 100 мкс до 10 мкс
Вопрос 18 Электрический пробой силового диода возникает, когда Выберите один ответ: обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу обратное напряжение равно значению установленного порога обратное напряжение отсутствует
Вопрос 19 К статическим параметрам силового диода не относится Выберите один ответ: напряжение пробоя динамическое сопротивление время нарастания прямого тока пороговое напряжение
Вопрос 20 Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами Выберите один или несколько ответов: прямой ток — в диапазоне от 10 до 1000 А время восстановления обратного сопротивления до 1000нс обратное напряжение от 50 до 3000 В время обратного восстановления — до 50 мкс
Вопрос 21 Величина заряда обратного восстановления силового диода Выберите один ответ: прямо пропорциональна энергии обратного восстановления обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала прямо пропорциональна частоте коммутации
Вопрос 22 Основная функция силового диода Выберите один ответ: усиление переменного сигнала выпрямление переменного сигнала дифференцирование переменного сигнала интегрирование переменного сигнала
Вопрос 23 Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса Выберите один ответ: 6 В 60 В 600 В 6000 В
Вопрос 24 При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода Выберите один ответ: равно нулю больше нуля меньше нуля стремится к бесконечности
Вопрос 25 Динамическими параметрами силового диода являются Выберите один или несколько ответов: пороговое напряжение время восстановления обратного напряжения среднее значение прямого тока время нарастания прямого тока
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6 го класса
Вопрос 1 В режиме лавинного пробоя силового диода Выберите один ответ: обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
Вопрос 2 Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна Выберите один ответ: произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
Вопрос 3 Точечные диоды Выберите один или несколько ответов: используются для выпрямления больших токов имеют большую площадь p-n-перехода имеют малую площадь p-n-перехода используются для выпрямления малых токов
Вопрос 4 При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде Выберите один ответ: резко увеличивается резко уменьшается равна нулю увеличивается постепенно
Вопрос 5 К предельно допустимым параметрам силового диода относится Выберите один ответ: импульсное обратное напряжение динамическое сопротивление напряжение пробоя время нарастания прямого тока
Вопрос 6 Плоскостные диоды Выберите один или несколько ответов: используются для выпрямления больших токов используются для выпрямления малых токов имеют большую площадь p-n-перехода имеют малую площадь p-n-перехода
Вопрос 7 Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит Выберите один ответ: электрическую батарею резистор с динамическим сопротивлением катушку индуктивности идеальный диод
Вопрос 8 Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает Выберите один ответ: время обратного восстановления не более 0,3 мкс падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В низкую инерционность прибора предельное обратное напряжение более 100 В
Вопрос 9 К параметрам силовых диодов не относятся Выберите один ответ: предельно допустимые динамические потенциальные статические
Вопрос 10 Силовой диод содержит Выберите один ответ: три p-n-перехода один p-n-переход один p-n-p-переход два p-n-перехода
Вопрос 11 При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода Выберите один ответ: имеет конечную величину меньше нуля равно нулю стремится к бесконечности
Вопрос 12 Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает: Выберите один ответ: от 1 до 5 мкс от 25 до 100 нс от 1 до 5 нс от 25 до 100 мкс
Вопрос 13 Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если Выберите один ответ: напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде напряжения на аноде и катоде отсутствуют напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде напряжение на аноде равно напряжению на катоде
Вопрос 14 Силовым диодом называется Выберите один ответ: полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
Вопрос 15 Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются Выберите один ответ: высокими значениями обратного напряжения и прямого тока низкими значениями обратного напряжения и прямого тока низкими значениями обратного напряжения и обратного тока высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
Вопрос 16 Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки Выберите один ответ: арсенид-галлий кремний карбидокремний германий
Вопрос 17 Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает: Выберите один ответ: до 200 нс до 100 нс до 100 мкс до 10 мкс
Вопрос 18 Электрический пробой силового диода возникает, когда Выберите один ответ: обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу обратное напряжение равно значению установленного порога обратное напряжение отсутствует
Вопрос 19 К статическим параметрам силового диода не относится Выберите один ответ: напряжение пробоя динамическое сопротивление время нарастания прямого тока пороговое напряжение
Вопрос 20 Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами Выберите один или несколько ответов: прямой ток — в диапазоне от 10 до 1000 А время восстановления обратного сопротивления до 1000нс обратное напряжение от 50 до 3000 В время обратного восстановления — до 50 мкс
Вопрос 21 Величина заряда обратного восстановления силового диода Выберите один ответ: прямо пропорциональна энергии обратного восстановления обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала прямо пропорциональна частоте коммутации
Вопрос 22 Основная функция силового диода Выберите один ответ: усиление переменного сигнала выпрямление переменного сигнала дифференцирование переменного сигнала интегрирование переменного сигнала
Вопрос 23 Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса Выберите один ответ: 6 В 60 В 600 В 6000 В
Вопрос 24 При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода Выберите один ответ: равно нулю больше нуля меньше нуля стремится к бесконечности
Вопрос 25 Динамическими параметрами силового диода являются Выберите один или несколько ответов: пороговое напряжение время восстановления обратного напряжения среднее значение прямого тока время нарастания прямого тока
Источник
Помощь в дистанционном обучении
Решение тестов, помощь в закрытии сессии студентам МОИ, Синергии, ГТЕП, Витте, Педкампус, Росдистант
Силовая электроника тест МОИ
Тест Московского Открытого Института и Синергии «Силовая электроника» Цена 200р.
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Динамическими параметрами силового диода являются
время восстановления обратного напряжения
время нарастания прямого тока
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
имеют большую площадь p-n-перехода
используются для выпрямления больших токов
имеют малую площадь p-n-перехода
используются для выпрямления малых токов
В режиме лавинного пробоя силового диода
резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
К статическим параметрам силового диода не относится
время нарастания прямого тока
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
Силовым диодом называется
полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
Электрический пробой силового диода возникает, когда
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
К параметрам силовых диодов не относятся
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
стремится к бесконечности
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
В активном режиме работы биполярного транзистора
выходной ток равен входному току
выходной ток прямо пропорционален входному току
выходной ток обратно пропорционален входному току
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
максимально допустимый ток коллектора
ток обратного смещенного коллекторного перехода
Транзисторы Дарлингтона используют для
увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
одинаковые свойства и геометрические размеры
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
эмиттер-база — в прямом направлении
коллектор-база — в прямом направлении
коллектор-база — в обратном направлении
эмиттер-база — в обратном направлении
полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
току базы в насыщенном режиме
току коллектора в насыщенном режиме
току базы в граничном режиме
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
коллектор-база — в обратном направлении
эмиттер-база — в обратном направлении
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
Выберите один или несколько ответов:
эмиттер-база — в прямом направлении
коллектор-база — в обратном направлении
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
напряжение между базой и эмиттером равно нулю
напряжение между базой и коллектором меньше нуля
напряжение между базой и коллектором равно нулю
напряжение между базой и эмиттером меньше нуля
В основе биполярного транзистора лежит
трехслойная полупроводниковая структура
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
большой площади коллекторного p-n-перехода
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
зам¬кнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
источником тока эмиттера, управляемого током базы
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
выделяемая мощность очень большая, а выходное напряжение очень низкое
выделяемая мощность и выходное напряжение очень большие
выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
Выберите один или несколько ответов:
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
источником тока эмиттера, управляемого током базы
источником тока коллектора, управляемого током базы
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
напряжение перехода коллектор – база равно нулю
напряжение перехода коллектор – база меньше нуля
напряжение перехода база – эмиттер больше нуля
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
эмиттер-база — в обратном направлении
коллектор-база — в прямом направлении
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
источником тока коллектора, управляемого током базы
источником тока эмиттера, управляемого током коллектора
источником тока коллектора, управляемого током эмиттера
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
сопротивление, управляемое напряжением на затворе
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
МОП — транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
полевого транзистора с горизонтальным каналом
полевого транзистора с вертикальным каналом
Быстродействие IGBT транзистора
ниже быстродействия полевых транзисто¬ров
выше быстродействия биполярных транзисторов
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
биполярные транзисторы с изолированным затво¬ром
транзисторы со статичес¬кой индукцией
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
входного биполярного n-p-n-транзистора
выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным за¬твором
выходного биполярного n-p-n-транзистора
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным за¬твором
Ток стока IGBT транзистора
Выберите один или несколько ответов:
прямо пропорционален эквивалентной крутизне
обратно пропорционален эквивалентной крутизне
прямо пропорционален напряже¬ниюна затворе
обратно пропорционален напряже¬нию на затворе
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
дополнительным слоем полупроводника p-типа
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
Достоинства БСИТ по сравне¬нию с СИТ
напряжение отсечки имеет отрицательное значение
при отсутствии напряжения на зат¬воре БСИТ находится в закрытом состоянии
при отсутствии напряжения на зат¬воре БСИТ находится в открытом состоянии
на¬пряжение отсечки равно нулю
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
наличие участка вторичного пробоя-
высокая температурная устойчивость
отсутствие участка вторичного пробоя
низкая температурная устойчивость-
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
Выберите один или несколько ответов:
биполярные транзисторы с изолированным затвором
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
разъединителя и отделители
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
в какое состояние перейдет устройство
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
осуществление оперативного обмена с внешней средой
формирование сигналов управления силовой частью
преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
ФИУ – формирователь импульсов управления
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
выключатели высокого напряжения
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
низкая частота коммутации
низкие динамические характеристики
зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
зависимость частоты коммутации от входного напряжения
К аппаратам низкого напряжения не относятся
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
транслироваться в блок датчиков Д
обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
К аппаратам высокого напряжения не относятся
аппараты автоматического регулирования
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
БОИ – блок обработки информации
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Не существует следующего вида модуляций
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
токовый режим с выключением по тактовому сигналу
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки
Принципы построения ФИУ не зависят от
конструктивного исполнения полупроводникового прибора
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
низкое входное сопротивление затвора
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
независимость амплитуды импульса управления от скважности
независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
непосредственной гальванической связи
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
раздельная передача энергии и информационного сигнала
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
потенциальная развязки информационного сигнала
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
использовать нелинейную обратную связь между входом и выходом
чтобы ФИУ соответствовал источнику тока, а не напряжения
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
отрицательным напряжением обратного смещения
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
путем размыкания его эмиттерной цепи
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
возможность передачи непрерывных сигналов информации
высокую помехозащищенность передачи
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
постоянный ток затвора управления транзистором при изменении тока нагрузки
постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки
пропорциональное изменение тока затвора транзистора с изменением тока нагрузки
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
мощности сигнала управления
форме питающего напряжения
частоте питающего напряжения
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
снижения мощности, потребляемой ФИУ
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
ограниченный выходной ток драйвера
низкая рассеиваемая мощность в драйвере
высокий уровень выходного тока драйвера
оптимизация разводки печатной платы
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
силовые биполярные транзисторы
полевые транзисторы с изолированным затвором
биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
конструкции преобразовательного устройства
Система управления электронными ключами не предназначена для
преобразования переменного напряжения в постоянное
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
генератор пилообразного напряжения (ГПН)
фазосдвигающее устройство (ФСУ)
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать
количество каналов, равное
произведению фазности на число периодов выпрямителя
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
только в выпрямительном режиме
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
управляемых транзисторных генераторов
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
обратно пропорционален периоду следования импульсов
обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа
прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
иметь отрицательную обратную связь
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией
четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
два формирователя импульсов управления (ФИУ)
два распределителя импульсов (РИ)
В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
Выберите один или несколько ответов:
устройства синхронизации (С)
генератора пилообразного напряжения (ГПН)
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
в три раза превышает частоту питающей сети
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией
частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
в два раза превышает выходную частоту инвертора
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
через устройство синхронизации С на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
в шесть раз превышает выходную частоту инвертора
прямо пропорциональна частоте пульсации
прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
обратно пропорциональна частоте пульсации
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
Выберите один или несколько ответов:
две системы управления инверторным режимом (СУИР)
три системы управления инверторным режимом (СУИР)
две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
в три раза превышает частоту питающей сети
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
включает в работу распределитель импульсов (РИ)
обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)
включает в работу генератор эталонной частоты (ГЭЧ)
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
генератора пилообразного напряжения (ГПН)
фазосдвигающее устройство (ФСУ)
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
три генератора пилообразного напряжения
один генератор пилообразного напряжения
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
обратно пропорционален числу витков дросселя
прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
влияние паразитных элементов монтажа
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
приближают сигнальные проводники к силовым шинам
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
увеличение площади соединительных контуров
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
плавкие предохранители общего назначения
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы
Главным достижением развития современных силовых ключей является
объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
величины защитной емкости
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
возрастает мощность потерь
ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
одновременно увеличивать параметры M и N
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитываютследующие особенности
наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
уменьшают индуктивную связь между проводниками
гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
с большой индукционной составляющей
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
управляет работой компаратора
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
величины дополнительной индуктивности
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
короткое замыкание цепи нагрузки
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
дополнительные элементы, обеспечивающие снятие накопленной энергии
дополнительные элементы, шунтирующие нагрузку
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
силовые ключи с внешними системами защиты и управления
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
параллельно включают демпфирующую RCD — цепь
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
повреждение силового ключа
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
прямо пропорциональна величине напряжения источника питания
обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
пониженным до долей вольта выходным напряжением
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
малое количество силовых ключей
простота реализации схем управления
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
при нулевом значении напряжения
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
мощные полевые транзисторы (MOSFET)
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
ограничению скорости нарастания тока на аноде в режиме включения ключа
обеспечению безопасной траектории в режиме выключения ключа в рамках заданной ОБР
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
В резонансных силовых преобразователях
коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе
паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
низкий уровень коммуникационных потерь
низкое быстродействие переключения
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
наличие длительных многократных перегрузок по току
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
мощные полевые транзисторы (MOSFET)
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП — транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна:
произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
Особенностью силовых МОП -транзисторов является
высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
Основные преимущества IGBT транзистора по сравнению с полевым транзистором
