Lei 4 трансформатор характеристики

Выводы трансформатора

• 
• 

Есть трансформатор от ИБП.
Есть маркировка
430-2052А.2
CLASS F(15D) R255D
LEI-4 E154515
Входы/выходы
сторона 1:
4 на одном разьеме (кор, чер, ор, бел)

сторона 2:
4 толстых (бел, кр, чер, чер)
2 потоньше, со стороны толстых (кор, син)

Кто-нибудь знает назначение выводов

• 
• Metal Warrior
• 

• 
• 

• 
• .
• 

• 
• 

• 
• мегатеронозавр
• 

• 
• 

• 
• рядовой пользователь
• 

• 
• 

QUOTE (FigWam @ Nov 24 2007, 23:13)

А цель то сего расследования какая? Любопытство удовлетворить?

• 
• .
• 

• 
• 

QUOTE (@LEXi$ @ Nov 26 2007, 14:20)

Пустить во вторичное использование. Напряжение выхода должно быть порядка 12 в. Мощность до 300 Вт. Много куда можно использовать.

А, так ИБП — это UPS (я то сначала подумал что-то типа Импульсного Блока Питания )

Если трансформатор «железный» то все проще. «Вызвони» омметром все обмотки. Точные сопротивления вымерять не нужно (не обязательно). Запасись вольтметром и трансформатором (например) 220вольт -> 6 вольт. После этого на какую-нибудь низковольтную (из толстого провода) обмотку подаешь эти 6 вольт. И промеряешь напряжения на всех обмотках. Осторожно! На «высоковольтной» обмотке может получиться 220 в и больше!

После этого уже сам сможешь (скорее всего) нарисовать схему включения трансформатора. Либо выкладывай сюда результаты измерений.

• 
• рядовой пользователь
• 

• 
• 

• 
• .
• 

• 
• 

Скорее всего, это первичная обмотка. Возьми омметр — промеряй сопротивления между выводвми.
Варианты:
Если получилось 2 отдельных обмотки примерно одинакового сопротивления — то для включения в 220в их надо соединить последовательно. Тут главное не перепутать, и не включить их «встречно». Что бы избежать «бабах’а» — включи эти обмотки (соединенные последовательно) в розетку не напрямую, а через обычную лампочку на 220 вольт (и ватт на 40). Если все нормально — то лампочка гореть не должна, а на выходе (на толстых проводах) появятся выходные напряжения. Можно их сразу промерять вольтметром. Если перепутал и соединил обмотки «навстречу» — то лампочка загориться, а на выходе напряжения не будет.

Если первичная обмотка одна с отводом (или двумя) омметром найди, между какими выводами максимальное сопротивление, и эти выводы уже включи в розетку (Лучше опять через лампочку для подстраховки). И опять промеряй напряжения на обмотках. Все станет ясно.

На толстых должно появиться примерно 12 вольт. Скорее всего, это 2 отдельных обмотки 2*12в. На тех, что потоньше должно получиться вольт 10-20-30 (примерно)

Перед включением проверь, чтобы ничего лишнего не было случайно замкнуто между собой.

• 
• рядовой пользователь
• 

• 
• 

а:
1-2 — 3.8 Ом
2-3 — 0.6 Ом
3-4 — 0.9 Ом

Б.1
5-6 — 0,8 Ом
Б.2
7-8 — 0,3 Ом
8-9 — 0,3 Ом
9-10 — 0,2 Ом

Что то маловато сопротивление на первичной

• 
• .
• 

• 
• 

То есть 1-2-3-4 = 5,3 Ом — и это одна обмотка? Тогда подключи ее (на всякий случай через лампочку 220вольт*40Вт) в розетку и смеряй (аккуратно, чтобы не долбануло!) переменные напряжения на ВСЕХ обмотках. И в студию результаты измерений.

Источник

Форум самодельщиков: Datasheet на трансформатор. — Форум самодельщиков

Пройдя короткую регистрацию , вы сможете создавать и комментировать темы, зарабатывать репутацию, отправлять личные сообщения и многое другое!

Datasheet на трансформатор.

• 2 Страниц
• 1
• 2
• →

• Вы не можете создать новую тему
• Вы не можете ответить в тему

#1 zippA

• 
• Самопальщик-профи
• 

• 
• 
• 

#2 СветLANa

• 
• 
• 

#3 Brador

• 
• 
• 

#4 Stariy Ded

• 
• Круче чем МАКГАЙВЕР.
• 

• 
• 
• 

220V/50Hz) стоит обычный сетевой тр-р обратимого действия.
При наличии сетевого напряжения 220V, он используется как понижающий для подзаряда АКБ, а в режиме «бесперебойника» как тр-р преобразователя напряжения =12V в

220V с частотой 50Гц.
Вопрос к автору темы:
— Можно ли сделать фото этого тр-ра в сравнении с линейкой?
— измерялось ли омическое сопротивление обмоток?
Если да, то:
— делал ли попытки нарисовать схему этого тр-ра в соответствии с результатами измерений?

Источник

The Datasheet Archive

E154515

Abstract: E58127 e154515 class b E154515 class f E78675 e154515 class 600CT600CT lei-4 e154515 TA006 E58127 lei-4
Text: pc mam tu nm hp mi ¡m mmum .n E58127 E78675 El 54515 • Total 12 pins suitable for multi output or multi tap circuit requirements • Low profile and cost effective • Good mounting stability & low vibration • Pass hi-pot 1500V RMS CLASS A, B AND F INSULATION SYSTEMS FILE NO. E154515 FOR CLASS , 600C.T. 0 ±0.5dB l.OdB mox 4 TA-003 200 600 100 ±1.2dB 1.5dB max 2 TA-004 600 600 C.T. 120 ±0.5dB 1 , «OOortm ) C lOOan C_ 4 rs C woo»* nn I-§_I -D- CORE SIZE DIM ENSKN S (mm) A B c D E F G H 1 a

e154515

Abstract: lei-4 e154515 E58127 E58127 lei-4
Text: ГўВЂВњI i» m i r n i n m splitbobbinm m SECONDARY SIZE P A R T NO. E58127 E154515 S E R IE , for 12VA units. Ul-l 2 — 4 5 0 Ul-l 2 -9 0 0 1500V R M S Hi-Pot: Standard with nonconcentric , -2 4-1 0 0 2 2 4 .0 V C.T. @ 100m A 12.0V @ 200m A U I-2 4-2 5 0 6 2 4 .0 V C.T , 0 12 400m A 12 2 4 .0 V C.T. @ 500m A 12.0V @ U I-2 8-9 0 2 2 8 .0 V C.T , 3 4 ,0 V C.T, @ 75m A 17.0V @ 150mA U I-3 4 -1 70 6 3 4 .0 V C.T. @ 1 70m A

ISO508

Abstract: ISO508P ISO124 MPC506
Text: compatible. DOUT (0 — 7) VSA 1 24 CONT 2 23 3 22 4 21 5 20 6 19 , LEI the data is then transmitted across the barrier. INPUT DATA nВ­1 4 DATA n n , В­1 Invalid tPD(sync) DATA n+1 tH tSU FIGURE 4 . Data Corruption. tDD LEO INPUT DATA LEI , INPUT DATA DATA OUT LEI INT. CLK 2 1 0 S1 S0 7 6 5 4 3 2 tPD , 22 +VISO IN4 23 IN5 24 OUT IN6 25 11 10 5 8 PGA205 A0 10 4 A1

ISO508

Abstract: ISO508P ISO124 ISO508P-U MPC506 Burr-Brown IC appendix c iso508p-u lei 26
Text: . Inputs are CMOS/TTL compatible. DOUT (0 — 7) 1 24 CONT 2 23 3 22 4 21 5 , transmitted across the barrier. INPUT DATA nВ­1 4 DATA n n+2 DATA CORRUPTION LEI goes low , +1 tH tSU FIGURE 4 . Data Corruption. tDD LEO INPUT DATA LEI DATA OUT INT. CLK OE , LEI INT. CLK 2 1 0 S1 S0 7 6 5 4 3 2 tPD(sync) 1 «JITTER» , IN5 24 OUT IN6 25 11 10 5 8 PGA205 A0 10 4 A1 15 16 14 IN10 9

2000 — ISO508

Abstract: ISO508P ISO124 ISO508P-U MPC506
Text: Data Bus. Inputs are CMOS/TTL compatible. DOUT (0 — 7) 1 24 CONT 2 23 3 22 4 , transmitted across the barrier. INPUT DATA nВ­1 4 DATA n n+2 DATA CORRUPTION LEI goes low , +1 tH tSU FIGURE 4 . Data Corruption. tDD LEO INPUT DATA LEI DATA OUT INT. CLK OE , LEI INT. CLK 2 1 0 S1 S0 7 6 5 4 3 2 tPD(sync) 1 «JITTER» , IN5 24 OUT IN6 25 11 10 5 8 PGA205 A0 10 4 A1 15 16 14 IN10 9

Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Operating — 4 0 +85 °C Storage — 4 0 +125 °C Thermal Resistance, 0JA 75 ° c , Top View NAME DIP FUNCTION D,n (0 — 7) CONT 2 23 3 22 DoutO DJ 4 , +1 l PD(sync) ts u ГўВЂВњ ^ FIGURE 4 . Data Corruption. INPUT DATA LEI LEO
OCR Scan PDF IS0508 IS0508 1500Vrms 16-Channel

2005 — ISO508P

Abstract: ISO508
Text: driven to the correct logic level. VSA CONT DIN0 DIN1 DIN2 DIN3 DIN4 DIN5 DIN6 1 2 3 4 5 6 7 8 9 , Transfer-Asynchronous Mode. В® ISO508 4 DATA CORRUPTION In either synchronous or asynchronous mode if the data , OUTPUT DATA DATA nВ­1 Invalid DATA n+1 tPD(sync) tH tSU FIGURE 4 . Data Corruption. tDD INPUT , Mode. DATA IN INPUT DATA LEI INT. CLK «JITTER» 2 1 0 S1 S0 7 6 5 4 3 2 1 DATA OUT tPD(sync , В­VISO +VISO 1 19 20 21 22 23 24 25 26 11 10 9 8 7 6 5 4 IN1 IN2 IN3 IN4 IN5 IN6 OUT 28 5 +VISO 13 8 12

IS0508

Abstract: No abstract text available
Text: 4 21 5 20 D out^ D|N3 6 19 D out^ D,n4 7 18 D out4 D|N5 8 , D (sync) — FIGURE 4 . Data Corruption. LEO INPUT DATA LEI n DATA OUT INT. CLK

ON SEMICONDUCTOR 613

Abstract: top marking 293 1A353 1291
Text: (iin Graded 8 Risc and Fall Time (10-90%) tptf 4 ns /p=80mA (no bias) ГѓВ‰ § Bandwidth (3dBel) fc , %) ГѓВ­rГѓВ­f 4 ns vR=iv rl=son (no bias) S Bandwidth fc 50 MHz Vr=1V Rl=50X1 NA=0.275 Capacitance C , В°C Operating Temperature (derating: Rg. 4 ) T -55 to + 125°C Electrical Power Dissipation (derating: Rg. 4 ) ‘lot

amd k10

Abstract: 29c983 AM29C983JC block diagram of AMD K10 09485-002B 363S 09485-013A AM29C983AJC
Text: Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange Advanced Micro Devices DISTINCTIVE , vcc °3 d1 s11 LEI d S l1j c8 3 soA leia c7 gnd 4 a0 s1a c6 c5 5 a2 a1 c4 vcc 6 a3 gnd c3 , -2 °e„ B-9 a7 F-10 b3 K- 4 ct A-3 soa B-10 leot F-11 gnd K-5 c. A- 4 a0 B-11 oea G-1 d2 K-6 ca A-5 a2 , H-11 B5 L-3 gnd 8-2 LEOd D-11 Bc J-1 soD L- 4 c5 8-3 LEI* E-1 d, j-2 l-5 Vcc b- 4 S1» e-2 Vcc j , OPTION Blank = 14 ns A =10 ns I— DEVICE NUMBER/DESCRIPTION Am29C983 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus

lg 6154

Abstract: amd k10 09485-012B
Text: Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange DISTINCTIVE CHARACTERISTICS Four , View) / l e ,a В« nnnnnnnnnnnnnnnnn8 7 6 S 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61 В· 60 I ] 0 E c 59 , 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 , C c * GND Q *3 * 4 C C 54 D ^ s S3 52 51 , r8oSgiSS88S8?IВ°8 oo >> oo 09465*013A Am29C983/Am29C983A 6-145 AMD PG A (B ottom View ) 1 2 3 4 5 6 , S0B B 0 GND B4 GND Bg Note: Notch indicates orientation. 0 9 4 8 5 -0 13A PIN

AM29C983

Abstract: 29c983
Text: Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange DISTINCTIVE CHARACTERISTICS Four , > P 4 — OEc * 4 LEOC PORT LEU leo a Am29CM3/ Am20C0B3A B PORT SO B* 8 1 , > ‘ 4 3 1 I В· u В«r M M W I) 1) 11 C Г’ _ l GCc В» LEO c В§ S ВЈ Г¤ S M 3 C* 7 = 7 S C 4 В» c u C. В» VCC 12 St SГ© ^CNO , В· 2 3 4 S 6 7 8 9 10 1 1 12 13 14 IS 16 17 18 IB 20 71 22 23 24 nnnnnnnnnnnnnnrin S O IO N t O

b64290l0022

Abstract: 1 MT 1083 VEI 005 B64290P0035x830 B64290L0659X830 B64290L0618
Text: warnings andГЇВЂ Important notes at the end of this document. 4 06/13 leГЇВЂ mm AeГЇВЂ mm2

block diagram of AMD K10

Abstract: lg 6154 amd k10 am29c983
Text: Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange DISTINCTIVE CHARACTERISTICS Four , B C D E F G H J lo Q O C O K L 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 / OE0 IL , . 09485-013A PIN DESIGNATIONS (Sorted by Pin Number) PIN NO. A-2 A-3 A- 4 A-5 A-6 PIN NAME lo I LU PIN NO. B-9 B-10 B-11 PIN NAME a PIN NO. F-10 F -11 G-1 G-2 G-10 PIN NAME b3 PIN NO. K- 4 K-5 K-6 K-7 K-8 K-9 K-10 K-11 L-2 L-3 L- 4 L-5 L-6 L-7 L-8 L-9 L-10 PIN NAME 7 c6 c4 c3 so

amd k10

Abstract: block diagram of AMD K10 AM29C983 AM29C983JC
Text: Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange a Advanced Micro Devices DISTINCTIVE , Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer 6-145 AMD il PGA (Bottom View) 2 3 4 5 6 7 8 , a0 s1a A2 A, Ag gnd A 4 VCC A 5 AS gnd a7 ao C4 C3 Cl sv gnd C5 VCC gnd Co oea s0b b0 b2 gnd , ) pin no. pin name pin no. pin name pin no. pin name pin no. pin name A-2 °ed B-9 a7 F-10 b3 K- 4 c6 A-3 soa B-10 leot F-11 gnd K-5 c. A- 4 \ B-11 oe* G-1 d2 K-6 ca A-5 a2 C-1 gnd G-2 d, K-7 c, A-6 a3 C

circuit diagram for cd 6283 12 PIN

Abstract: ic cd 6283 diagram am29c983
Text: a Prelim inary Am29C983/Am29C983A Advanced Micro Devices 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus , 9 7 6 4 3 2 1 68 6 66 6 n oec 0 5 IJLEOc 9 • C 1 S*□ 1 O lha 5 □ c8 6 5 □ C 7 7 N 5 □ GD 6 1 2 1 3 1 4 1 S 1 6 si* C *0 C *1 c A2 C GD Q N 5 □ °e 5 5 □ C 4 5 5 □ vcc 3 5 □ C 2 4 C 1 Vcc Q 1 9 0 a5 n 2 5 □ °3 1 5 I] GD 0 N 4 □ °2 9 4 □ c! 6 4 □ c0 7 1 *6 c 2 2 2 gndQ

boxcar

Abstract: No abstract text available
Text: P r e lim in a r y Am29C983/Am29C983A 9-Bit x 4 -Port Multiple Bus Exchange DISTINCTIVE , 53 52 51 50 49 48 47 46 A4 C VCC Q A5 C As C gnoQ = 4 JC , I] O N 0 C 2 В°i C o В« ‘c SВ°C , : Pin 1 is marked for orientation. s> g PGA (Bottom View) a A B E F G H J K L o 1 2 3 4 5 6 7 , GND c2 C0 S0C S’ A A5 GND Vcc a6 2 a3 a 4 A5 GND A8 A 7 leo a LEIb S1b » l o , NAME PIN NO. PIN NAME PIN NO. PIN NAME PIN NO. PIN NAME leod A- 4 B-5 A-5 A-6 A-7 A-8 B-8 B-9 A-10 D

1S0508P

Abstract: Burr-Brown IC appendix d IS-050 IS0508
Text: Operating Storage Thermal Resistance, 0ja — 4 0 — 4 0 75 +85 +125 В°C В°C В°C/W NOTES: (1) All devices receive , 1500Vrms Storage T em perature.- 4 0 В°C to

2002 — Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: No file text available

HM303

Abstract: HE581 power supply Socket ms013-0 hm330 HE581 HM Series HM303* circuit HM303 circuit HM53 HE300
Text: -0.50 (12.7) ГўВЂВў0.60 (15.2) 0.15 (3.8) CASE C1 1 1.60 (40.6) 4 1.60 (40.6) _L 3.50 (88.9) 0.60 , 1.60 (40.6) 4 1.60 (40.6) _1 3.50 (88.9) 2.20 (55.9) NOTE: Apples to HE500 Series only. \ INSERTS

w140 diode

Abstract: ON SEMICONDUCTOR 613 top marking 293 1A239 W140 R111H
Text: Temperature (derating: Rg. 4 ) Top -55 to +125°C Electrical Power Dissipation (derating: Rg. 4 ) ‘lot 130 mW , \ r- RADIAL DISPLACEMENT OF FIBER FIGURE 4 OPERATING TEMPERATURE PRODUCT INFORMATION i j> > o A

Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: No file text available

Diode — LED 1550nm — IR

Abstract: 1550nm photodiode 3,8 Ghz pin 1550nm GENERAL SEMICONDUCTOR MARKING SJ SMA GENERAL SEMICONDUCTOR MARKING uj sma ON SEMICONDUCTOR 613 top marking 293 1A358
Text: 0.75 0.85 0.83 1.0 AAV X=1300 nm X=1550nm Bandwidth fc 2.5 GHz Rl=50X1 Capacitance (fig. 4 ) C 0.8 , HGURE3 FIGURE 4 PRODUCT INFORMATION i j> > o A rV¿A Emitter or Detector in FC Package Mitel

Abstract: marking 293 ON SEMICONDUCTOR 613 top marking 293 1A448 1A448A PIN diode 12 GHz
Text: =12mA Threshold Current 4 3.5 6 mA Relative Intensity Noise RIN -130 dB/Hz /p=12mA, f=l GHz Note 1: Fiber

marking ED SMA

Abstract: ON SEMICONDUCTOR 613 top marking 293 1A255
Text: rstg -55 to +125°C Operating Temperature (derating: Rg. 4 ) T ‘op -55 to +125°C Electrical Power Dissipation (derating: Rg. 4 ) ‘lot 250 mW Continuous Forward Current a«; 10 kHz) h 110mA Peak Forward

Источник