Напряжение dram каналы a b

DDR4 и Ryzen. Нюансы настройки и разгона памяти на платформе AMD AM4

Терминология

Ниже приведен список технических терминов, относящихся к разгону памяти с процессором Ryzen. Последний использует стандартную архитектуру памяти DDR4, поэтому вы можете быть знакомы с некоторыми из этих терминов. Некоторые другие термины являются новыми и характерными для UEFI материнских плат платформы AM4.

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.

DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.

VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.

VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.

CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.

Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.

Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.

VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.

PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.

CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).

CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.

procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.

RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.

Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.

Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.

BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.

Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.

Алгоритм настройки системы

Инструмент, который будет нам помогать с рекомендациями — DRAM Calculator for Ryzen. Самый главный, фундаментальный шаг — это запуск системы на определенной частоте, которую мы хотим получить. Для этого нам потребуется вручную установить такие настройки в UEFI: профиль XMP памяти (он может называться по-разному, смысл от этого не меняется), частоту для оперативной памяти (которую мы хотим получить), установить частоту BCLK (если присутствует такая настройка в прошивке), тайминги (которые рекомендует калькулятор), напряжение для SOC и DRAM (рекомендации калькулятора) и procODT + RTT (NOM, WR и PARK). Не забывайте про важный нюанс, что материнская плата или оперативная память может не справиться с вашими амбициями, потому советую посетить страницу поддержки вашей материнской платы и посмотреть QVL-список, в котором будут указаны частоты, на которых плата в заводских условиях функционировала без ошибок. Эта частота и будет нашей отправной точкой. Зачастую это 3000–3200 МГц.

Параметры procODT + RTT (NOM, WR и PARK) мы будем подбирать так, чтоб система имела минимальное кол-во ошибок. Тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset). Безусловно, от всех ошибок мы не сможем избавиться, и для этого нам нужен будет следующий шаг.

Цель следующего шага — поиск самого оптимального напряжения для DRAM и SOC, при которых система будет иметь минимальное кол-во ошибок. Сначала подбираем напряжение для SOC, а затем для DRAM (калькулятор вам подскажет диапазон). Для отлова ошибок используем тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset).

В половине случаев вы можете на данном этапе получить полностью стабильную систему. Если тестовый пакет TM5 0.12 не находит ошибок, то вы должны увеличить спектр тестовых программ для проверки стабильности. Вы можете использовать LinX, HCI, Karhu, MEMbench и другие программы. В случае если вышеописанные утилиты нашли ошибку, то вам стоит перейти к следующему шагу, отладочному.

На отладочном шаге главная цель — это изменение определенных таймингов, указанные на иллюстрации ниже.

На данном этапе вы должны проверить по очереди влияние каждого тайминга на стабильность системы. Примечание: я не рекомендую изменять все задержки сразу, постарайтесь набраться терпения. Если тестируемый тайминг никак не улучшает ситуацию, мы его возвращаем на место и проверяем по списку следующую задержку.

На этом шаге основной инструктаж по отладке системы для простых пользователей заканчивается. Дальнейшие шаги я могу посоветовать более опытным оверклокерам, которые знакомы с разгоном достаточно давно.

и корректировка дополнительных напряжений.

На каждой иллюстрации присутствуют списки параметров, которые мы используем или изменяем. Эти списки я сформировал так, чтобы более приоритетные настройки, которые могут помочь улучшить стабильность, вы проверили первыми. Безусловно, вы можете пойти своей дорогой, четких правил и закономерностей нет.

Источник

DRAM Voltage

Другие идентичные по назначению параметры: Adjust Extra DIMM Voltage, DDR SDRAM Voltage, Memory Voltage Regulator, VDIMM Voltage.

Опция DRAM Voltage (Напряжение модулей оперативной памяти) позволяет пользователю вручную установить величину одного из основных рабочих параметров модулей оперативной памяти. Значение напряжения в данной опции указывается в вольтах. В опции нередко можно встретить также вариант Auto, Normal или Default, который позволяет установить значение параметра по умолчанию. Также опция может носить и другие названия, например, Memory Voltage.

Принцип работы

Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3 В, модули DDR – 2,5 В, модули DDR2 – 1,8 В, а модули DDR3 – 1,5 В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35 В, а для соответствующих второй – 1,25 В. Таким образом, хорошо заметна тенденция к уменьшению питающего напряжения в зависимости от усовершенствования технологии изготовления модулей памяти. Причину подобного явления легко понять, если учитывать, что снижение напряжения микросхем памяти позволяет уменьшить энергопотребление и тепловыделение памяти.

Хотя в большинстве случаев BIOS автоматически устанавливает нужное напряжение модулей, тем не менее, во многих BIOS пользователю может быть предоставлена возможность изменить значение данного параметра самостоятельно. Для этого и предназначена опция BIOS DRAM Voltage или Memory Voltage.

Какие же цели может преследовать увеличение штатного значения напряжения модулей памяти? Прежде всего, данная операция может применяться в ходе мероприятий по разгону аппаратных компонентов компьютера. Повышенное напряжение стабилизирует работу памяти при повышении частоты шины памяти, при этом обеспечивая приемлемые значения таймингов (задержек выполнения стандартных операций).

Способы выбора вариантов в опции могут варьироваться в зависимости от разновидности BIOS. Часто в опции пользователю предоставляется возможность повысить напряжение на небольшую величину (обычно до 0,3 В) с определенным шагом, например, в 0,1 В. Иногда пользователь может выбрать необходимое значение из списка. Также некоторые BIOS позволяют ввести необходимое число напрямую в текстовом поле. В качестве значения опции пользователь обычно может выбрать также вариант Normal или Automatic (Auto), который означает, что будет использоваться стандартное напряжение для той разновидности памяти, которую поддерживает материнская плата.

Обычно опцию DRAM Voltage можно найти в разделе BIOS, посвященном тонким настройкам производительности системы, где располагаются также такие параметры, как частоты процессора и памяти, напряжения процессора и элементов чипсета. Например, в BIOS от Award данный раздел может называться Motherboard Intelligent Tweaker, а в BIOS от American Megatrends – AI Tweaker.

Следует иметь в виду, что далеко не все материнские платы персональных компьютеров позволяют пользователю менять рабочее напряжение оперативной памяти. Однако это не всегда означает, что в BIOS подобных материнских плат отсутствует данная опция. В некоторых разновидностях опции она имеет лишь информационное значение, показывающее пользователю реальное текущее значение напряжения. Располагаются опции подобного рода в разделе BIOS, посвященном мониторингу параметров аппаратных компонентов персонального компьютера.

Какое значение опции выбрать?

Если вы не занимаетесь разгоном оперативной памяти компьютера, то лучше всего оставить значение по умолчанию, подходящее для вашего типа памяти, поскольку оно гарантирует бесперебойное функционирование аппаратной части компьютера. В противном случае вы можете установить самостоятельно необходимое вам значение. При этом следует помнить, что чрезмерное повышение напряжения модулей памяти, особенно тех, которые специально не предназначены для разгона, может привести к выходу модулей из строя. Кроме того, повышенное напряжение обычно приводит к перегреву модулей, а это, в свою очередь, потребует от вас позаботиться о дополнительном охлаждении системного блока.

Источник

Как разогнать оперативную память DDR4 и не спалить ее — разгон Micron E-die на Ryzen (Zen+) — баланс между температурой, напряжением, частотой и таймингами

Вступление

Многие из вас уже давно наслышаны о пользе разгона оперативной памяти для увеличения производительности ПК в играх и рабочих задачах. Особенно это касается процессоров Ryzen (если рассматривать современные решения), для которых разгон памяти — это основа быстродействия, это некий ритуал, который совершает каждый владелец ПК на «красном» процессоре, чтобы получить еще больше производительности.

реклама

Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?

Если вы об этом ранее не догадывались, то специально для вас, дорогие читатели, я около 3 месяцев исследовал разгон оперативной памяти типа DDR4 на процессорах Ryzen с микроархитектурой Zen+. Я следил за поведением системы с разными профилями разгона, замерял температуры плашек памяти при тестировании, искал нужный баланс между таймингами, напряжением и частотой, пробовал различные методики, чтобы прийти к тому, к чему я пришел сегодня — оптимальный разгон памяти для Ryzen (в моем случае с микроархитектурой Zen+).

Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.

Подготовка к разгону оперативной памяти

реклама

Итак, в первую очередь, если вы собрались подойти к разгону оперативной памяти с головой — выключите YouTube. Методики «разгон памяти за 10 минут», «разгон памяти за 1 минуту» и прочие популярные видео, которые можно встретить на столь популярной площадке по теме разгона E-die — это откровенная чушь, эти методики под большим вопросом помогут именно вам, но я вам даю 100% гарантию, что любая методика разгона, где применяется поднятие напряжения до 1.45 вольта на чипах Micron E-die, сократит их жизнь на порядок. Вы ведь купили комплект бюджетной (относительно) оперативной памяти не для того, чтобы она у вас сгорела или начала сбоить через полгода? Вот поэтому советую вам забыть о методах из YouTube и начать думать своей головой.

Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.

Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.

реклама

Далее вам следует выяснить, на основе какой микроархитектуры ваш процессор, если вы еще этого не знаете. Наименование своего процессора вы можете посмотреть через диспетчер устройств в Windows. Далее вы ищите в интернете, какая микроархитектура лежит в основе вашего процессора. Это очень важно, так как от этого напрямую зависят результаты разгона. Если вы обладатель процессора с микроархитектурой Zen, то вы можете в среднем рассчитывать на частоту в 3200 — 3400 MHz. Для Zen+ максимумом является частота 3533 MHz. Обладатели процессоров Zen 2 могут смело разгонять память до 3800, но будьте осторожны с делителем.

Далее мы переходим к материнской плате. Если вы не хотите глубоко вникать в процесс разгона, то вам пригодится лишь узнать, на основе какого чипсета выполнена ваша материнская плата. Также желательно знать ее модель, если вы еще этого не знаете. Также на разгон оперативной памяти напрямую влияет количество слотов под память. Если в вашей плате всего два слота — то вам повезло и модули могут разогнаться лучше, чем на плате с 4 слотами (статистически). Также важна топология материнской платы и расположение слотов, в которые была установлена память. Если ваша плата не обладает T-топологией, проще говоря, если вы не обладатель, например, Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI, то модули следует расположить в слоты A2 и B2. Материнские платы с T-топологией уникальны тем, что им все равно, сколько у вас оперативной памяти и как она расположена. Еще один важный фактор — количество PCB-слоев. Но для новичков это уже совсем дебри. Но если вам интересно, то хорошие материнские платы обладают большим количеством PCB слоев. Многие думают, например, что покупать плату на X чипсете для AMD — это переплата и проще взять плату на B чипсете. Но, хоть плата плате рознь, а платы на X чипсете имеют в среднем больше PCB слоев, чем платы на B чипсете (или вообще A). Узнать количество PCB слоев достаточно легко на платах MSI — их число указано на обратной стороне платы с краю. Если ваша плата обладает 6-8 слоями PCB, то вам повезло чуть больше.

На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.

Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов

реклама

Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.

Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).

Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.

После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.

После этого мы перезагружаем компьютер. Если во время перезагрузки компьютер зависает и даже не доходит до BIOS, то отключите питание компьютера (отключите сам блок питания), извлеките батарейку из материнской платы и закоротите контакты на плате в том месте, где была установлена батарейка. Это проще всего сделать отверткой. Альтернативные варианты «лечения» — кнопки clear cmos и memok, если таковые имеются. Но бывает и такое, что просто извлечь батарейку и закоротить контакты бывает недостаточно. Можете также вытащить сами модули памяти и поменять их местами (не лишним будет обезжирить контакты на памяти), чаще всего это «лечит» все глюки. Когда ПК снова запустится, рекомендую чуть увеличить или уменьшить напряжение на самих модулях, чуть поднять напряжение на контроллер памяти, снизить частоту разгона, чуть увеличить тайминги. Комплексно это выполнять не следует. Чаще всего бывает достаточно снизить частоту памяти. Если компьютер доходит до Windows и далее начинаются ошибки и другие неполадки, описывать которые можно крайне долго и нудно, мы просто выполняем все те действия, которые описывались чуть ранее.

Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.

Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.

Но, я уверен, что сейчас найдется несколько несчастных, которые «проиграли» в кремниевую лотерею. Память которых «отказывается» адекватно работать даже в «щадящем» режиме. Тут можно посоветовать поставить параметр «DRAM PCB revision» в одно из значений: «A0», «bad bin» или «manual». Значение «manual» и «bad bin» подходят для самых неудачных модулей. Если и это вам не помогло — снижайте частоту. Но в случае с E-die (а данный гайд ориентирован на владельцев памяти с данными чипами) такого просто не может быть (если это не откровенный брак).

О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

• Power Down mode должен быть отключен всегда.
• Gear Down mode влияет на итоговую латентность (в худшую сторону), но для того, чтобы взять более высокие частоты, его необходимо обязательно включить.
• Command Rate всегда выставляется в значение 1T (количество тактов).
• Первый тайминг tCL настраивается точно также, как он задан в XMP или в калькуляторе. Как-то ужимать его очень сложно и приводит к нестабильности, если не задирать напряжение.
• tRP и tRCDWR могут быть на два пункта ниже, чем первый тайминг tCL (следует выбирать четные значения)
• tRAS вычисляется по формуле tRCD + tBL + tWR.
• tRC должен быть больше либо равен tRAS+TRP. В моем случае память заработала даже на значении в 50.
• tFAW можно смело «ужимать» в 1.5, а в некоторых случаях и в 2 раза от того результата, который выдает калькулятор или XMP.
• SOC Voltage 100% безопасно повышать можно до 1.1 вольта, но подходящие значения находятся в трех вариантах: 1.025 — 1.05 и 1,1. Чаще всего среднего значения (для гарантии) бывает достаточно.
• Чипы Micron E-die не самые холодные и их эффективность слабо зависит от напряжения, подаваемого на них. Категорически не рекомендуется повышать напряжение выше 1.4 вольта.

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже — как перегреваются и выходят из строя модули оперативной памяти.

Итак, среди читателей есть некоторая категория людей, которые не верят в то, что от высокого напряжения модули памяти могут сильно разогреваться. Итак, данное тестирование я посвящаю всем тем, кто до сих пор думал, что радиаторы на оперативной памяти — это маркетинг и «украшение».

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:

Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх

И вот, разгон мы провели, в синтетике результаты увидели, с температурами разобрались, но какая же серьезная и полноценная статья, ориентированная на просто пользователя (геймера), будет без тестирования результатов разгона в реальных задачах — в играх.
Тестирование будет проводиться лишь в одной игре, так как статья уже слишком затянулась, а тестировать и производить замеры в десятке игр, чтобы увидеть в них прирост в производительности, не имеет смысла. Поэтому тестирование будет проводиться в излюбленном бенчмарке всех читателей Overclockers.ru (и любителей процессоров от AMD) — в Assassin’s Creed Odyssey.

Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.

Тестовый стенд

Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2×16Гб в игре Assassin’s Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:

• Процессор: AMD Ryzen 7 2700 (сток);
• Системная плата: Asus TUF B450M PRO GAMING;
• Система охлаждения процессора: AMD Wraith Spire ;
• Термопаста: AMD;
• Видеоадаптер: GeForce GTX 1060 Xtreme Gaming 6G;
• Накопители: Samsung SSD 850 120GB (под Windows), Western Digital WD Blue 1 TB (под игры);
• Блок питания: Enermax Revolution D.F. , 650 Ватт;
• Корпус: Thermaltake View 31 TG;
• Монитор: Sharp Aquos lc-26le320e-bk ;
• Операционная система: Windows 10 Pro x64 (1909).

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Тестовый отрезок — встроенный в игру бенчмарк.

Результаты тестирования вышли следующие. Прирост FPS от разгона памяти составил 20%, если сравнивать со значениями, которые память выдавала в стоке. Но остается один вопрос — как память на CL16 обогнала память на CL14? Легендарные «14-19-14-32» с некоторыми ужатыми вторичными таймингами, проповедуемые некоторыми блогерами в YouTube, оказались на уровне XMP по показателю 1% FPS. Почему так произошло — попробуем выяснить уже в комментариях, где вы также сможете похвастаться своими результатами разгона памяти и обсудить данную статью.

Заключение

Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.

В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.

Источник