Удельная чувствительность фоторезистора ко 300 мка мв при значениях напряжений

Удельная чувствительность фоторезистора Ко = 300 мкА/ мВ при напряжении U= 15 В. Определить его интегральную чувствительность.

Ответы 2

Сравнение абсолютизма Франции и Испании

Насколько эффективной была система управления и как она менялась?

Централизованное и эффективное управляющееся государство

Система управления громоздкая. Взаимодействие между отдельными советами налажено плохо

Как менялась роль органов сословного представительства?

Генеральные штаты не стали постоянно действующим органом, они созывались королем лишь в тех случаях, когда ему требовалось заручиться поддержкой основных сословий

Koртесы влияли на политику монархов

Какие изменения произошли в положении дворянства и в его отношениях с королевской властью?

Дворянином признается тот, кто получил соответствующее право от короля и обладает рядом качеств, которые передаются по наследству

Сохранили свое влияние только на уровне местного управления

Насколько важны были для государства колонии и как именно они повлияли на развитие страны?

Колонии были важны. Из колоний страна получала налоги, продовольствие, рабочую/наемную силу, в конце концов, и т.д.

Колонии были важны. Из колоний страна получала налоги, продовольствие, рабочую/наемную силу, в конце концов, и т.д.

Франция: неограниченное личное правление государя, независимое от дворянства и духовенства.
Испания: неограниченное личное правление государя;
централизованная финансовая система и регулярная армия нового образца.

Источник

Удельная чувствительность фоторезистора Ко = 300 мкА/ мВ при напряжении U= 15 В. Определить его интегральную чувствительность.

Ответы

единичный отрезок равен одной клетке

скорее всего это бросок мяч в баскетбольное кольцо с прыжком, как в крутых фильмах. введи в поисковике реверс — данкс и зайди «картинки», думаю там будет понятнее)

1. теа́тр (греч. θέατρον — основное значение — место для зрелищ, затем — зрелище, от θεάομαι — смотрю, вижу) — форма исполнительского искусства. театр — это синтез всех искусств, он включает в себя музыку, архитектуру, живопись, кинематограф, фотографию и т. д. основным средством выразительности является актёр, который через действие, используя разные театральные приёмы и формы существования, доносит до зрителя суть происходящего на сцене. при этом актёром не обязательно должен быть живой человек. это может быть кукла или какой-либо предмет, человеком. театр считается самым сильным средством влияния на человека, поскольку, видя происходящее на сцене, зритель ассоциирует себя с тем или иным персонажем, и через катарсис (очищение через страдание) внутри него происходят изменения.

основные работники театра: режиссёр, актеры, гримеры, гардеробщики, осветители, билетеры, , художники, рабочие сцены.

2. музыка и изо. их роднит искусство. музыка и изо — это определенный язык. в музыке — ноты, а в изо — изображения (картины)

3. полифони́я [1] (от греч. πολύς — многочисленный и φωνή — звук) — склад многоголосной музыки, характеризуемый одновременным звучанием, развитием и взаимодействием нескольких голосов (мелодических линий, мелодий в широком смысле) , равноправных с точки зрения композиционно-технической (равноправные участники многоголосной фактуры) и музыкально-логической (равноправные носители «музыкальной мысли») . противоположными полифонии являются монодия и гомофония («гомофонно-гармонический склад») . словом «полифония» также называют музыкально-теоретическую дисциплину, занимающуюся изучением полифонических композиций (ранее «контрапункт») .

4. музыку и роднит примерно то же, что и музыку и изо..

5. о́пера (итал. opera — дело, труд, работа; лат. opera — труды, изделия, произведения, мн. ч. от opus) — жанр музыкально-драматического искусства, в котором содержание воплощается средствами музыкальной драматургии, главным образом посредством вокальной музыки [1]. основа оперы — либретто. самый богатый и сложный жанр музыки -опера. слово «орега» в переводе с итальянского буквально означает труд, сочинение. в этом музыкальном жанре слиты в единое целое поэзия и драматическое искусство, вокальная и инструментальная музыка, мимика, танцы, живопись, декорации и костюмы.

композитор пишет оперу на сюжет, взятый из , например «руслан и людмила» , «евгений онегин» . словесный текст оперы называется либретто. но все же главное в опере — музыка.

почти каждая опера начинается с увертюры -симфонического вступления, которое знакомит слушателя в общих чертах с содержанием всего действия.

́т (фр. ballet, от итал. ballo — танцую) — вид сценического искусства; спектакль, содержание которого воплощается в музыкально-хореографических образах. чаще всего в основе лежит определённый сюжет, драматургический замысел, либретто, но бывают и бессюжетные . основными танца в являются классический танец и характерный танец. немаловажную роль здесь играет пантомима, с которой актёры чувства героев, их «разговор» между собой, суть происходящего. в современном широко используются также элементы гимнастики и акробатики. требует выдержки и выносливости от любого человека, занимающегося им.

6. актеров много, например: максим аверин, владислав галкин, кирилл плетнев, антон макарский, виталий абдулов, сергей безруков, гела месхи, леонид быков, денис рожков, дмитрий дюжев, константин хабенский, александр дедюшко.. и т. д.

Источник

Контрольно-измерительные материалы по дисциплине «Основы электроники»

Онлайн-конференция

«Современная профориентация педагогов
и родителей, перспективы рынка труда
и особенности личности подростка»

Свидетельство и скидка на обучение каждому участнику

Государственное бюджетное профессиональное образовательное учреждение

«Байконурский электротехнический техникум имени М.И. Неделина»

«Наименование учебной дисциплины»

Обратная сторона титульного листа

Председатель ПЦК_____ Методист

_____ / И.О. Фамилия/ _____ / И.О. Фамилия/

«___» ______ 201__г. «___» ______ 201__г.

Разработал: (указать Ф.И.О.), преподаватель ГБ ПОУ «БЭРТТ»

Паспорт комплекта контрольно-измерительных материалов

2. Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего контроля и промежуточной аттестации

2.1 Задания для проведения текущего контроля

2.2 Задания для промежуточной аттестации

1. ПАСПОРТ КОМПЛЕКТА КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Комплект контрольно-измерительных материалов (далее КИМ) предназначен для контроля и оценки образовательных достижений обучающихся, освоивших программу учебной дисциплины « Основы электроники » П ПССЗ по специальности 08.02.09 Монтаж, наладка и эксплуатация электрооборудования промышленных и гражданских зданий»

Комплект КИМ позволяет оценивать:

(освоенные умения, усвоенные знания)

Формы и методы контроля и оценки результатов обучения

2. КОМПЛЕКТ КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

2.1. Задания для проведения текущего контроля ( ПРИЛОЖЕНИЕ 1)

Текущий контроль осуществляется в следующих формах:

выполнение домашних заданий;

выполнение, защита лабораторных работ и практических заданий;

выполнение контрольных работ, в том числе административных;

письменный опрос, в том числе тестирование;

написание технического диктанта;

В ПРИЛОЖЕНИЕ 1 включить по одному экземпляру заданий указанных форм текущего контроля.

2.2. Задания для проведения промежуточной аттестации

Промежуточная аттестация проводится в форме дифференцированного зачета/экзамена. ( Указать форму аттестации, предусмотренную учебным планом специальности)

Условиями допуска к дифференцированному зачету/ экзамену являются положительные результаты текущего контроля по всем разделам учебной дисциплины .

Комплект материалов для оценки сформированности умений и знаний представлен в виде вариантов заданий/вопросов для дифференцированного зачета/экзамена (оставить нужное) .

Дифференцированный зачет проводится в форме письменного /устного опроса.

Вопросы для обучающихся при проведении дифференцированного зачета представлены в ПРИЛОЖЕНИИ 2.

Критерии оценки при проведении тестирования:

90-100 % правильных ответов

Менее 50 % правильных ответов

Критерии оценки при проведении дифференцированного зачета/экзамена по вопросам (примерный )

Оценка «5» (отлично) выставляется за глубокое и полное овладение содержанием учебного материала. Студент владеет понятийным аппаратом и умеет: высказывать и обосновывать свои суждения, грамотно и логично излагать ответ (как в устной, так и в письменной форме).

Оценка «4» (хорошо) выставляется, если студент в полном объеме освоил учебный материал, владеет понятийным аппаратом, ориентируется в изученном материале, грамотно и логично излагает ответ, но содержание и форма ответа имеют отдельные неточности.

Оценка «3» (удовлетворительно) выставляется, если студент обнаруживает знание и понимание основных положений учебного материала, но излагает его неполно, непоследовательно, допускает неточности в определении понятий. Не умеет доказательно обосновать свои суждения.

Оценка «2» (неудовлетворительно) выставляется, если студент имеет разрозненные, бессистемные знания, не умеет выделять главное и второстепенное, допускает ошибки в определении понятий, искажающие их смысл, беспорядочно и неуверенно излагает материал.

Задания для проведения текущего контроля

Вопросы для устного опроса по разделам дисциплины:

Тесты по разделам дисциплины :

Административная контрольная работа

(2 и более варианта по — вопросов в каждом)

Примерная тематика рефератов

Вопросы для проведения дифференцированного зачета/экзамена

бюджетное профессиональное образовательное учреждение

«Байконурский электротехнический техникум имени М.И. Неделина»

« Монтаж. Наладка и эксплуатация промышленных и гражданских зданий»__

Председатель ПЦК Методист

«Монтаж. Наладка и эксплуатация

промышленных и гражданских

__________Н.А.Просочкина ___________ А.Н.Есенкулова

«___» ______ 201__г. «___» ______ 201__г.

Разработал: Н.А.Просочкина преподаватель ГБ ПОУ «БЭРТТ»

Паспорт комплекта контрольно-измерительных материалов

2. Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего контроля и промежуточной аттестации

2.1 Задания для проведения текущего контроля

2.2 Задания для промежуточной аттестации

1. ПАСПОРТ КОМПЛЕКТА КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Комплект контрольно-измерительных материалов (далее КИМ) предназначен для контроля и оценки образовательных достижений обучающихся, освоивших программу учебной дисциплины « Основы электроники » ППССЗ по специальности 08.02.09 Монтаж, наладка и эксплуатация электрооборудования промышленных и гражданских зданий»

Комплект КИМ позволяет оценивать:

(освоенные умения, усвоенные знания)

Формы и методы контроля и оценки результатов обучения

Определять параметры полупроводниковых и типовых электронных устройств, уметь обрабатывать полученные результаты измерений по заданным условиям, производить расчет усилительных каскадов, работать со справочной литературой

Принцип действия полупроводниковых приборов. Знать классификацию фотоэлементов, интегральных микросхем, их хпрактеристики и область применения. Принцип работы предварительных и оконечных каскадов усиления. Режимы работ усилительных каскадов

2. КОМПЛЕКТ КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

2.1. Задания для проведения текущего контроля ( ПРИЛОЖЕНИЕ 1)

Текущий контроль осуществляется в следующих формах:

выполнение домашних заданий;

выполнение, защита лабораторных работ и практических заданий;

выполнение административной контрольной работы;

написание технического диктанта;

В ПРИЛОЖЕНИЕ 1 включить по одному экземпляру заданий указанных форм текущего контроля.

2.2. Задания для проведения промежуточной аттестации

Промежуточная аттестация проводится в форме экзамена. Условиями допуска к экзамену являются положительные результаты текущего контроля по всем разделам учебной дисциплины .

Комплект материалов для оценки сформированности умений и знаний представлен в виде экзаменационных билетов, которые включаю теоретические вопросы и задачи.

2.3.1 Критерии оценки при проведении тестирования:

2.3.2. Критерии оценок при проведении технических диктантов

90-100 % правильных ответов

Менее 50 % правильных ответов

2.3.3. Критерии оценки при проведении экзамена:

Оценка «5» (отлично) выставляется за глубокое и полное овладение содержанием учебного материала. Студент в полном объеме отвечает на теоретический вопрос, правильно решены задачи, полные ответы на дополнительные вопросы.

Оценка «4» (хорошо) выставляется, если студент в полном объеме освоил учебный материал, владеет понятийным аппаратом, ориентируется в изученном материале, грамотно и логично излагает ответ, но содержание и форма ответа имеют отдельные неточности.

Оценка «3» (удовлетворительно) выставляется, если представлен ответ на теоретический вопрос и решена одна задача , или решены две задачи.

Оценка «2» (неудовлетворительно) выставляется, если студент имеет разрозненные, бессистемные знания, не умеет выделять главное и второстепенное, допускает ошибки в определении понятий, искажающие их смысл, беспорядочно и неуверенно излагает материал.

2.3.4.Критерии оценок для проверки решения задач

При правильном решении всех заданных задач

При решении с ошибками в вычислении или. выполненных не по образцу

В остальных случаях выставляется неудовлетворительно

Задания для проведения текущего контроля

по учебной дисциплине «Основы электроники»

Вопросы для технического диктанта по теме 1.1.Основы теории полупроводников

Влияние внешних факторов на электропроводность проводников

Что называется полупроводником?

1.Какой полупроводник называется собственным?

Как образуется примесный полупроводник?

2. Чем определяется проводимость примесных полупроводников?

Объясните процесс образования полупроводника р- типа

3.Объясните процесс образования полупроводника n — типа

Какие исходные материалы используются для изготовления полупроводников?

4. Какие подвижные носители являются основными в полупроводниках р-типа?

Какие подвижные носители являются основными в полупроводниках n -типа?

5. За счет чего образуются диффузия носителей в полупроводнике?

За счет чего образуются дрейф носителей в полупроводнике?

6. Изменяется ли сопротивление примесного полупроводника с изменением температуры?

Объясните образование р- n — перехода

7. Объясните физический смысл прямого включения р n -перехода.

Об ъясните физический смысл обратного включения р n -перехода

8. В каком направлении перемещаются электроны за счет диффузии?

В каком направлении перемещаются электроны через р n -переход за счет дрейфа?

9.В каком направлении перемещаются электроны через р n -переход за счет диффузии?

В каком направлении перемеща ются дырки через р n -переход за счет дрейфа?

10.В каком направлении перемещаются дырки через р n -переход за счет диффузии?

Тема 1.2.. Полупроводниковые диоды и полупроводниковые стабилитроны

1. Основное свойство диода?

2. Что называется стабилитроном?

2. Каким образом стабилитрон включается в электрическую цепь?

3. Изобразите схему для снятия обратной ветви ВАХ диода.

3. Изобразите схему для снятия прямой ветви ВАХ диода.

4. Сколько pn – переходов имеется в полупроводниковом диоде?

4. В чем заключается принцип стабилизации.

5. Отличаются ли по внешнему виду ВАХ германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов?

5. Объясните зависит ли емкость p — n — перехода от его типа?

6.В каких случаях применяют последовательное включение диодов.

6.В каких случаях используют параллельное включение диодов?

7.В области каких тем ператур могут работать германиевые полупроводниковые диоды?

7.В области каких температур могут работать кремниевые полупроводниковые диоды?

8. Как изменяется обратный ток полупроводникового диода с ростом температуры?

8. Как обеспечивают тепловой режим в мощных диодах?

9.Может ли стабилитрон выполнять функцию выпрямителя?

9. Объясните явление электрического пробоя.

10. Как обозначается выпрямительный диод?

10. Может ли коэффициент выпрямления стабилитрона быть больше 1?

Задачи по теме полупроводниковые диоды и стабилитроны

По вольт- амперной характеристике кремниевого выпрямительного диода КД103 А при t = 20 . Определить сопротивление постоянному току при прямом включении для напряжений U _ПР = 0,4;0,6; 0.8 В. Построить график зависимости R _О = f ( U _ПР )

По вольт- амперной характеристике кремниевого выпрямительного диода КД103 А при t = 20 . Определить сопротивление постоянному току при обратном включении для напряжений

U _ОБР = — 50 В; — 100 В; — 200 В. Построить график зависимости R _О = f ( U _ПР ).

По вольт- амперной характеристике кремниевого выпрямительного диода КД103 А при t = 20 . определить дифференциальное и крутизну прямой ветви при напряжении и U _ПР = 0,8 В.

По вольт- амперной характеристике кремниевого выпрямительного диода КД103 А при t = 20 . определить дифференциальное и крутизну обратной ветви при напряжении и U _ОБР = — 50 В.

Для диода при изменении прямого напряжения от 0.2 до 0.8 прямой ток увеличивается от 2,5 до 16 мА. Определить крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление диода.

Определить изменение прямого тока для диода. Если известно, что при изменении прямого напряжения U _ПР от 0.2 до 0.6 В крутизна характеристики S = 150 мА/В.

При изменении прямого напряжения U _ПР от 0.2 до 0,4 В дифференциальное сопротивление диода Ri = 36.4 Ом. Определить изменение тока.

Стабилитрон имеет напряжение стабилизации U _СТ min = 102 В, U _СТ max = 110 В при токе I _СТ min = 5 мА, I _СТ max = 30 мА. Определить допустимые пределы изменения напряжения на нагрузке, если известно, что сопротивление нагрузки R _Н = 12 кОм, сопротивление ограничительного резистора

Для стабилизации напряжение на нагрузке R _Н = 15 кОм используется стабилитрон, у которого напряжение стабилизации U _СТ = 106 В, средний ток I _СТ .ср = 17.5 мА, Определить сопротивление ограничительного резистора, если среднее значение напряжения источника питания U _СР = 250 В.

Два одинаковых стабилитрона включены последовательно для стабилизации напряжения U _СТ = 210 В. Определить сопротивление ограничительного резистора R _ОГР . если через каждый стабилитрон проходит ток I _СТ = 25 мА; сопротивление нагрузки R _Н = 21 кОм. Напряжение на входе схемы U _ВХ = 280 В.

Лабораторная работа № 1 » Исследование полупроводникового диода»

Цель работы: Изучить принцип работы полупроводникового диода.

Лабораторная работы выполняется на стенде и включает в себя следующие этапы:

Снятие показания напряжения при заданном значении тока прямой ветви.

Снятие показания напряжения при заданном значении тока обратной ветви.

Построение ВАХ прямой ветви.

Построение ВАХ обратной ветви.

Ответить на контрольные вопросы.

Лабораторная работа № 2. « Исследование полупроводникового стабилитрона»

Цель работы: Изучить принцип работы полупроводникового стабилитрона.

Лабораторная работы выполняется на стенде и включает в себя следующие этапы:

Снятие показания напряжения при заданном значении тока прямой ветви.

Снятие показания напряжения при заданном значении тока обратной ветви.

Построение ВАХ прямой ветви.

Построение ВАХ обратной ветви.

Ответить на контрольные вопросы (Защита проводится в устной форме).

Тема : Биполярные транзисторы

Задачи темы для закрепления

Задача 1 . Для транзистора мощность рассеиваемая на коллекторе, Рк = 225 мВт. Используя семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, определить рабочую область , учитывая , что наибольшее допустимое напряжение на коллекторе U к = 20 В.

Задача 2 . Для транзистора статический коэффициент усиления тока базы h _21Э = 10- 100. Определить в каких пределах может изменяться коэффициент передачи тока эмиттера h _21Б.

Задача 3. Используя семейство выходных характеристик с ОЭ. Определить значение тока коллектора I к при напряжении на коллекторе U к = 15 В для значения тока базы I б = 0,2;0,4; 0,6;, 0.8 мА. Построить график зависимости I к = f ( I б).

Задача 4 . Используя семейство выходных характеристик с ОЭ. Определить значение коэффициента усиления тока базы h _21Э при напряжениях на коллекторе U к = 5, 10,15 В и токе базы I б =0,4 мА.Построить зависимость h _21Э = f ( U к)/.

Задача 5. По входной характеристике транзистора в схеме с ОЭ определить входное сопротивление переменному току R вх при напряжении на коллекторе U к = 5В и напряжениях на базе , = 0,3 ; 0.4 ;0,5 В. Построить зависимость R вх = f ( U б).

Задача 6. По семейству выходных характеристик транзистора с ОЭ, определить выходное сопротивление транзистора при токе базы I б = 0,6 мА и напряжениях на коллекторе U к = 5; 10; 15 В. Построить график зависимости R вых = f ( U к).

Задача 7. По семейству выходных характеристик транзистора с ОЭ, определить выходное сопротивление транзистора при напряжениях на коллекторе U к = 10 и токах базы I б = 0.2; 0,4; 0,6; 0,8 мА. Построить график зависимости R вых = f ( I б ).

Тема : Статические h — параметры. Расчет усилителя как активного четырехполюсника .

Задачи для закрепления темы.

Задача 1. Параметры сопротивления разомкнутой цепи для схемы с общим эмиттером имеют следующие значения :входное сопротивление r ₁₁ = 280 Ом, сопротивление обратной передачи r ₁₂ = 30 Ом, сопротивление прямой передачи r ₂₁ = — 470*10 3 Ом , выходное сопротивление r ₂₂ = 25* 10 3 Ом. Определить параметры проводимости короткозамкнутой цепи.

Задача 2. Даны значения h -параметров транзистора при включении его по схем с общей базой: входное сопротивление h ₁₁ = 40 Ом, выходная проводимость h ₂₂ = 2*10 -6 сим, коэффициент обратной связи по напряжению h ₁₂ = 6*10 -4 . коэффициент передачи тока h ₂₁ = — 0,97. Рассчитать r –параметры.

Задача 3. Параметры сопротивления разомкнутой цепи для схемы с общим эмиттером имеют следующие значения: входное сопротивление r ₁₁ = 280 Ом, сопротивление обратной передачи r ₁₂ = 27 Ом, сопротивление прямой передачи r ₂₁ = — 475*10 3 Ом , выходное сопротивление r ₂₂ = 25* 10 3 Ом. Определить параметры проводимости короткозамкнутой цепи.

Задача 4. Параметры сопротивления разомкнутой цепи для схемы с общим базой имеют следующие значения: входное сопротивление r ₁₁ = 280 Ом, сопротивление обратной передачи r ₁₂ = 250 Ом, сопротивление прямой передачи r ₂₁ = — 470*10 3 Ом , выходное сопротивление r ₂₂ = 5000* 10 3 Ом. Определить r _Э, r _Б, r _К . r _Г. .

Задача 5. Даны значения h -параметров транзистора при включении его по схем с общей базой: входное сопротивление h ₁₁ = 40 Ом, выходная проводимость h ₂₂ = 1*10 -6 сим, коэффициент обратной связи по напряжению h ₁₂ = 4*10 -4 . коэффициент передачи тока h ₂₁ = — 0,98. Рассчитать r –параметры.

Задача 6. Даны следующие значения: сопротивление эмиттера r _Э = 28 Ом, сопротивление базы r _Б = 200 Ом, сопротивление коллектора r _К = 6.7 *10 5 Ом, сопротивление генератора r _Г = 6,5* 10 5 Ом. Определить параметры проводимости короткозамкнутой цепи.

Задача 7. Входное сопротивление в схеме с общей базой h ₁₁ = 30 Ом, проводимость обратной передачи входной цепи g ₁₂ = — 6.67*10 -6 сим. Найти коэффициент обратной связи по напряжению h _{12 .}

Лабораторная работа № 3 : « Исследование биполярного транзистора»

Лабораторная работа выполняется на стенде и включает в себя следующие этапы:

Снятие показания напряжения U бэ при U кэ = 0 В, при заданных токах на базе.

Снятие показания напряжения U бэ при U кэ = 5 В, при заданных токах на базе

По полученным результатам построить входные характеристики транзистора с ОЭ, зависимость I б = f ( U бэ) при постоянном напряжении U кэ.

Снять показания U кэ, при заданном токе на коллекторе при напряжении тока на базе I б = 0.1; 0.2 мА.

По полученным результатам построить выходные характеристики транзистора с ОЭ. Ззависимость I к = f ( U кэ) при постоянном токе I б.

Произвести расчет для h ₁₁ ; h ₂₁ ; h ₂₁ ; h ₂₂ ;

Ответить на контрольные вопросы (Защита проводится в устной форме).

Лабораторная работа № 4 : « Расчет статических – h -параметров»

Практическая работа выполняется в следующей последовательности:

По данным биполярного транзистора ( входная и выходная характеристики) необходимо рассчитать h ₁₁ – входное сопротивление Ом

h ₁₂ – коэффициент передачи по напряжению.;

h _{21 –} коэффициент передачи по току;

h ₂₂ – выходная проводимость См

Зарисовать схему включения транзистора с ОЭ.

Защитить устно, отвечая на контрольные вопросы.

Тема : Полевые транзисторы с управляющим PN — переходом.

Задачи для закрепления темы

Задача 1. По семейству выходных ( стоковых) характеристик транзистора построить стоко-затворную характеристику Ic = f ( U _ЗИ ) для U _CB = 10 В.

Задача 2. Для полевого транзистора определить сопротивление постоянному току R ₀ при напряжении U _СИ = 10 В и напряжениях U _ЗИ = 0.5; 1,0; 1,5 В.

Задача 3. По стоко- затворной характеристике полевого транзистора определить крутизну характеристики S при U _ЗИ = 1,; 1,0; 0.5 В. Построить зависимость S = f ( U _ЗИ ).

Тема : Полевые транзисторы МДП и МОП. Устройство, принцип работы

Тесты: Полевые транзисторы

1. У каких транзисторов : а) большая устойчивость к радиации, б) меньшее влияние температуры на параметры; в) меньшее собственные шумы?

а), б) У полевых, в) у биполярных

а), У биполярных, б) и в) у полевых

2.В каком направлении включены pn -переходы?

3. Как изменяется ток стока при увеличении напряжения на затворе ?

4.Как измениться ток стока при увеличении положительного потенциала на затворе МДП- транзистора?

5. У какого транзистора входное сопротивление максимально?

У полевого с затвором в виде p — n — перехода

Лабораторная работа № 5 « Исследование полевого транзистора»

Лабораторная работа выполняется на стенде и включает в себя следующие этапы:

Лабораторная работа № 6. « Расчет полевого транзистора№

Работа выполняется с использованием справочной литературы в следующей последовательности

Тема 1.4.Интегральные микросхемы

1.Понятия микроэлектроники, элементной интеграции, компонентов и элементов ИМС.

1.Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?

Снижение потребляемой мощности

2.Какие особенности характерны для ИМС и БИС ?

Сокращение внутренних соединительных линий

3.Какой элемент электронных схем является активным?

4. Можно ли в кристалле объемом 1 мм разместить схему, содержащую 1000 резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и других элементов?

5. Какое количество генераторов и усилителей электрических колебаний может быть размещено в объеме одного полупроводникового кристалла

1.Какие микросхемы называют совмещенными?

Построенные на тонких и толстых пленках

Построение на пленочных и планитарно- эпитаксиальный элементах

2. К какой степени интеграции относятся ИМС, содержащие 500 логических элементов

3.Как различают ИМС по названию?

Усилительные и генераторные

Вычислительные и запоминающие

4. В маркировке ИМС после буквы К стоит четная цифра. Укажите разновидность микросхемы

5. В каких областях техники применение ИМС особенно эффективно?

В ракетной и космической технике

2.Полупроводниковые интегральные микросхемы. Конструктивные элементы. Гибридные и совмещенные ИМС.

1.Какие микросхемы могут быть изготовлены без навесных элементов?

2. Какие транзисторы не применяются в полупроводниковых ИМС ?

Полевые с затвором в виде pn — перехода

Полевые с изолированным затвором

3. Чем объясняется в применение в качестве основы микросхем кремния, а не германия

Свойствами пленки из диоксида кремния

Работоспособностью кремния при высоких температурах?

4. Какие функции выполняет пленка лиоксида кремния в полупроводниковых микросхемах?

Защита микрообласти от загрязнений

Служит для создания масок при введении легурующих примесей в строго определенные микрообласти

Изолирует элементы микросхемы

5. В изолированной пластине кремния диаметром 75 мм и толщиной 0,2 мм сформировано 4000 одинаковых микросхем. Укажите примерные размеры одной микросхемы.

1.Устройство, принцип работы, ВАХ тиристоров

Вопросы для подготовки к защите лабораторной работы:

Что называется тиристором?

В каких двух состояниях может находится тиристор?

Назовите pn — переходы в динисторе и тринисторе.

Назовите электроды динистора и тринистора.

Изобразите вольт-амперную характеристику динистора. Назовите ее основные области.

Изобразите вольт-амперную характеристику тринистора. Назовите ее основные области.

Дайте определение напряжению включения и току включения динистора.

Как перевести динистор из режима высокой проводимости в режим низкой проводимости?

Приведите условное изображение динистора на принципиальной схеме.

Как измениться вольт-амперная характеристика тринистора при уменьшении управляющего тока?

Приведите условное изображение тринистора на принципиальной схеме.

Назовите возможные области применения тиристоров.

В каком случае используются симметричные тиристоры?

2 Лабораторная работа № 7 « Исследование тиристора»

Лабораторная работа выполняется на стенде и включает в себя следующие этапы:

Собрать схему в соответствии с методическими указаниями.

Снять показания для построения ВАХ динистора.

Выделить основные точки на характеристики, соответствующие напряжению включения и току удержания динистора.

Снять показания для построения ВАХ тринистора.

Выделить основные точки на характеристики, соответствующие напряжению включения и току удержания тринистора.

Тесты : Основные понятия и определения

1.Какова природа светового излучения?

2.Зависит ли энергия от интенсивности светового потока Ф?

Это зависит от спектрального состава излучеия

3. Какова зависимость между энергией фотона и длиной волны излучения?

4.Как меняется начальная скорость эмитируемого электрона при увеличении работы выхода?

5.Как влияет изменение температуры окружающей среды на качество фотоэлектрических приборов?

Фотоприемники с внешним фотоэффектом.

Задача 1. Пользуясь вольт- амперными характеристиками фотоэлементов, построить световые характеристики I = f (Ф) при напряжении U = 180 В.

Задача 2. Удельная чувствительность фоторезистора К ₀ = 300 мкА/мВ при напряжении = 15 В. определить его интегральную чувствительность.

Задача 3. Определить фотопоток диода, если на него падает световой поток Ф = 0,02 лм. А интегральная чувствительность К _Ф = 15 000 мкА/ лм.

Задача 4. На фотоэлемент с интегральной чувствительностью Ко= 100 мкА/лм падает световой поток Ф = 0.05 лм. Определить фототок I _Ф.

Задача 5. Найти интегральную чувствительность фотоэлемента. Дающего ток. Равный 14 мкА при падении на него светового потока Ф = 0.2 лм.

Задача 6. На два фотоэлемента падают одинаковые световые потоки по 0.1 лм. Один фотоэлемент сурьмяно-цезивый с интегральной чувствительностью 100 мкА/лм, другой фотоэлемент кислородно-цезиевый с интегральной чувствительностью 200 мкА/лм. Какой фотоэлемент даст больший ток и во сколько раз?

Фотоприборы с внутренним фотоэффектом.

РАЗДЕЛ 2. АППАРАТНЫЕ СРЕДСТВА ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Тема 2.1 Электронные усилители. Классификация. Основные характеристики.

Задача 1. Коэффициент усиления усилительного каскада К = 50. Переведите это значение в децибелы

Задача 2. Известно. Что усиление по напряжению трехкаскадного усилителя равно 1000. Определить усиление второго каскада. Если усиление первого каскада составляет 25 дБ, а третьего – 10 дБ.

Задача 3. В трехкаскадном усилите. Усиление каждого каскада составляет 30,20 и 10 дБ. Определить общий коэффициент усиления.

Задача 4. Коэффициенты усиления отдельных каскадов усилителя составляет 20, 30. 10. Определить общий коэффициент усиления усилителя. Перевести полученный результат в децибелы.

Задача 5. На входе усилителя имеется сигнал с напряжением U = 5 мВ. Определить напряжение на выходе усилителя. Если его коэффициент усиления К _U = 60 дБ.

Задача 6. Определить коэффициент усиления усилителя по мощности К _Р , если его коэффициент усиления по напряжению К ₀ = 20 дБ, а по току К i = 10 .

Задача 7. Коэффициент усиления по мощности усилителя К _Р = 250. Определить коэффициент усиления по напряжению К _О , если коэффициент усиления по току К i = 28 дБ.

Задача 9. Напряжение на входе усилителя U вх = 20 мВ. Определить мощность на выходе усилителя. Если его сопротивление нагрузке R н= 25 Ом, а коэффициент усиления по напряжению Ко = 25.

Задача 10. В трехкаскадном усилителе коэффициенты усиления каскадов К ₁ = 10, К ₂ = 15 дБ, К ₃ = 5. Определить коэффициент усиления усилителя.

Задача 11. На выходе двухкаскадного усилителя имеется напряжение U = 2 В. Определить напряжение на входе каждого каскада, если усиление первого каскада К ₁ = 40 дБ
, а второго К ₂ = 20 дБ.

Задача 12. В двухкаскадном усилителе коэффициент частотных искажений каскадов Мн ₁ = 1,3 дБ и Мн ₂ = 2,5 дБ. Определить коэффициент частотных искажений усилителя.

Тема 2.2. Усилительные каскады. Режимы работы усилительных каскадов.

Задача 1. Пользуясь семейством выходных характеристик транзистора определить положение рабочей точки, если напряжение коллекторного питание Ек = 10 В, а сопротивление резисторов : R к = 330 Ом, R б = 24 кОм .

Задача 2. Определить сопротивления резисторов R б и R к, необходимые для обеспечения в рабочей точке коллекторного тока I ко = 20 мА при токе базы I бо = 0,6 мА, если напряжение источника коллекторного питания Ек = 12 В.

Задача 3. Используя входные и выходные характеристики транзистора определить положение рабочей точки А, если известно, что U б = 0,32 В, R к = 240 Ом, Ек = 12 В (характеристики прилагается)

Задача 4. Смещение задается фиксированным током базы. Рассчитать сопротивление резистора R б, если известно, что ток базы I бо = 250 мкА, а напряжение Ек = 10 В.

Задача 5. Определить сопротивления резисторов R _1, R ₂ , если известно, что Ек= 10 В. а U б = 0, 5 В и I бо = 25 мкА.

Задача 6. Для схемы определить напряжение на базе U б, если известно, что R ₂ = 500 Ом, R 1 = 20 кОм, I бо= 30 мкА, Ек = 9В.

Задача 7. В усилителе смещение задается фиксированным напряжением на базе. Определить положение рабочей точки на характеристиках транзистора, если известно, что Ек = 10 В, R к= 200 Ом. I дел = 4.8 мА, R ₂ = 75 Ом (характеристики прилагается).

Задача 8. Для схемы известно положение рабочей точки А на выходных характеристиках I ко = 20 мА, U к = 4 В. Определит положение рабочей точки А на входных характеристиках транзистора (характеристики прилагается)

Задача: Определить ток, проходящий через стабилитрон, если известно R огр = 2 кОм; R н = 10 кОм;

Решение : Общий ток . проходящий через ограничительное сопротивление, I общ = ( U вх – U ст) / R огр = (160 -105)/ (2*10 ) = 27,5 мА.

Ток, проходящий через нагрузку , I н = U ст / R н = 105/ (10*10) = 10,5 мА

Источник